砷化镓与磷化铟——第二代化合物半导体衬底核心材料【小金属大会】

来源:SMM发布时间:2026-06-26 13:24:00
李丹
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28066
作品
6月26日,在由上海有色网信息科技股份有限公司(SMM)主办、广西誉升锗业高新技术有限公司冠名的2026 SMM(第十四届)小金属产业大会——稀散金属产业论坛(铟、镓、锗、铋、硒、碲、铼)上,朝阳金美镓业有限公司营销总监蒋军对“砷化镓(GaAs)与磷化铟(InP)——第二代化合物半导体衬底的核心材料”进行了分享。
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